HBM2E:超带宽解决方案中的明星

发表于:2021-07-27

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作者:美光全球显存业务主管Bill Randolph HBM2E 是HBM系列产品的第三项准则:HBM1、HBM2和现在的 HBM2E HBM2E 供应了出格宽的多通道 I/O—即1,024位宽,而且拥有出格短的物理通道,关头是它在极小的尺寸上兑现了极高的内存密度。

电子工程专辑 EE Times China -提供有关电子工程及电子设计的最新资讯和科技趋向数据中心在不停生长,以解决飞速高效地存储、挪动转移和解析数据时所面对的挑战。在很大程度上,其不停生长是由如下所示的四种高性能使用趋向所鼓励的。

古板的玩耍和专业视觉行使首要集中在个人电脑领域,选拔快捷 GDDR 内存。但随着人工智能锻炼和推理以及高性能盘算的出现,数据中心越来越多地运用速率最快的内存,即高带宽内存。这些领域的行使架构师必要找到尽可能高的带宽。

)」汇报,2018年全球数据总量为 36 泽字节,2020 年增长至 64 泽字节,2024 年将继续增长至 146 泽字节。

AI、深度学习、机器学习离不开海量数据。在兑现智能方面,AI 是游戏规则的改动者,不妨带来超越人类主导发掘的新洞察。往时我们为企图基础设施编写程序,而此刻我们可能利用海量数据来对它们进行熬炼,从而任职于智能农业、个性化教导、精准医疗等普通规模。

美光提供 GDDR 、 HBM 等超带宽 解决方案 ,赋能解析引擎,津贴磨练下一波 AI 算法。比如,一个拥有超过 13 亿个参数的 AI 模型无法插进单个 GPU中。因此,扩展内存容量不妨让更大的模型/更多的参数留在离焦点企图更近的处所。议定增加带宽和容量,镌汰内存和存储 解决方案 带来的贻误,我们正在加速实现洞察,津贴客户得到更大的比赛上风。

为了应对数据密集型劳动负载和使用程序的增进以及不停演变的使用场景和新的业务时机,数据主题的基础设施正在从头被界说。数据主题古板上是以 CPU 为主题的,议决使用内存和存储来处理数据。跟着 AI 等今世使用场景和劳动负载的浮现,这种古板架构已经成为无法让 CPU 以所需的高性能速度运行的瓶颈。

为解决这种越来越大的性能差距问题,而今的方法是采用专用硬件来解放 CPU 的某些功能。这种基于加速器的新计算模式正逐渐成为异构数据中心生长的关键所在。当代数据中心的新架构安置了多样组件,不同侧重于提供特定功能或许处理不同类型和方式的数据,从而显着抬高举座编制的速率和性能。

对于那些运用 DDR4企图内存的传统 CPU,我们添加了用于加速的GPU,以及用于其他功能的 FPGA 和 ASIC。今世数据中心可以运用这些差别的企图功能,而且,运用差别类型的内存对于餍足办理各类处事负载所需的高性能也是不可或缺的。

这便是 HBM 显现的理由—它使得职能更上层楼。Micron HBM2E 是最新一代的HBM,也是我们最快的 DRAM,让我们没关系为客户带来更好的洞察力。

美光依赖不休发展的内存 解决方案 而引领墟市,并议决知足新兴墟市行使不休变动的需求,从而变更全国。

HBM2E  运用硅通孔通道来构建垂直堆叠的 DRAM。美光研发堆叠 DRAM 已有 20 年的史籍,在此过程中获取了数千项专利。在将来的堆叠式 DRAM 创新查究中,我们打算开发新产品,以餍足更多数据密集型工作负载的高性能和低功耗需求。

高带宽内存的架构被寄望于餍足业界看待带宽、功耗和外形尺寸方面的需求。它如今是 AI 行业准则内存 解决方案 ,广泛应用于数据中心。 HBM2E  是 HBM 系列产品的第三项准则: HBM1、HBM2 和如今  HBM2E HBM2E  供给了特别宽的多通道 I/O—即 1,024 位宽,而且拥有特别短的物理通道。关节是它在极小的尺寸上实现了极高的内存密度。

HBM2E  位于特别接近 GPU 或许 CPU 的中介层上,通常被部署在同一个封装或许散热机箱中。 HBM2E  具有极宽的 I/O 总线和更高的密度,为现代数据中心基于加速器的企图模式供给了所需的高性能和高能效。

关于数据中心加速器内存产品线比美光高本能机能内存的逐项较,请参阅白皮书“超带宽 解决方案 的需求”中的表 1。 HBM2E  更强的 I/O 本能机能、带宽和能效使其成为美光超带宽 解决方案 产品线的基石。

跟着高职能应用需求鼓舞着下一代体系架构和异构数据中心的发展,美光  HBM2E  内存和超带宽 解决方案 供给了关键的内存和先进的体系职能,从而津贴将数据迁移转变为洞察。如需更多材料,欢迎点击micron.com/hbm2e。

Bill Randolph 现任美光全球显存业务总监,负责业务开辟,任务包孕成长美光合作伙伴业务,重点是用于游戏机和高端图形市场的美光高速内存 解决方案 产品线。

Bill 在美光服务 10 余年,曾在生态系统发展部和消费类/图形业务开发部负担过多种职务。他于 1990 年进入 DRAM 行业,之前曾在三菱和奇梦达从事过设计、开发中心打点、出卖等工作。Bill 拥有美国佛罗里达州立大学的电气工程学士学位,以及乔治亚理工大学的电气工程硕士学位。

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